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元器件采购网 > S-433页 > FET - 阵列SI5513DC-T1-E3

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SI5513DC-T1-E3

8-SMD,扁平引线 Vishay Siliconix 58188 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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SI5513DC-T1-E3参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
包装数量:1
包装形式:剪切带 (CT)
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FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.1A,2.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 3.1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:1.1W
安装类型:表面贴装

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